• 1
• 2SJ319
• 页
• 60K

• 2
• 2SJ319S
• Renesas Technology America, Inc.
• Silicon P-Channel MOS FET
• 8页
• 53K

• 3
• 2SJ319L
• Renesas Technology America, Inc.
• Silicon P-Channel MOS FET
• 8页
• 53K

• 4
• 2SJ319(S)
• Renesas Technology America, Inc.
• Silicon P-Channel MOS FET
• 13页
• 70K

• 5
• 2SJ319(L)
• Renesas Technology America, Inc.
• Silicon P-Channel MOS FET
• 13页
• 70K

• 6
• 2SJ318S
• Renesas Technology America, Inc.
• Silicon P-Channel MOS FET
• 8页
• 53K

• 7
• 2SJ318L
• Renesas Technology America, Inc.
• Silicon P-Channel MOS FET
• 8页
• 53K

• 8
• 2SJ317
• Renesas Technology America, Inc.
• Silicon P-Channel MOS FET
• 10页
• 53K

• 9
• 2SJ315
• Toshiba America, Inc.
• FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE(LL-pi-MOS IV)
• 2页
• 123K

• 10
• 2SJ314-01S
• Fuji Electric Holdings Co., Ltd.
• P-Channel Silicon Power MOS-FET
• 4页
• 136K

• 11
• 2SJ314-01L
• Fuji Electric Holdings Co., Ltd.
• P-Channel Silicon Power MOS-FET
• 4页
• 136K

• 12
• 2SJ313
• Toshiba America, Inc.
• FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE
• 3页
• 176K

• 13
• 2SJ312(SM)
• Toshiba America, Inc.
• Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (Power (L, 2)-Pi-MOS IV)
• 5页
• 291K

• 14
• 2SJ312
• Toshiba America, Inc.
• Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (Power (L, 2)-Pi-MOS IV)
• 5页
• 291K

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