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  • 2SC2885N
  • NEC Corporation
  • NPN Silicon Epitaxial Transistor for High-Voltage High-Speed Switching
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  • 2SC2885M
  • NEC Corporation
  • NPN Silicon Epitaxial Transistor for High-Voltage High-Speed Switching
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  • 2SC2885L
  • NEC Corporation
  • NPN Silicon Epitaxial Transistor for High-Voltage High-Speed Switching
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  • 5
  • 2SC2885K
  • NEC Corporation
  • NPN Silicon Epitaxial Transistor for High-Voltage High-Speed Switching
  • 6页
  • 128K
  • 6
  • 2SC2885
  • NEC Electron Devices
  • NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-VOLTAGE HIGH-SPEED SWITCHING
  • 6页
  • 128K
  • 7
  • 2SC2884
  • Toshiba America, Inc.
  • SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) TRANSISTOR
  • 4页
  • 184K
  • 8
  • 2SC2883
  • Toshiba America, Inc.
  • TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS)
  • 3页
  • 181K
  • 9
  • 2SC2882
  • Toshiba America, Inc.
  • TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE(PCT PROCESS)
  • 4页
  • 183K
  • 10
  • 2SC2881
  • Toshiba America, Inc.
  • TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS)
  • 3页
  • 183K
  • 11
  • 2SC2880
  • Toshiba America, Inc.
  • TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE(PCT PROCESS)
  • 4页
  • 207K
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