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  • 2SC1627A
  • Toshiba America, Inc.
  • TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE(PCT PROCESS)
  • 3页
  • 170K
  • 3
  • 2SC1627
  • Toshiba America, Inc.
  • SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS)
  • 3页
  • 172K
  • 4
  • 2SC1623L7
  • NEC Corporation
  • NPN Silicon Epitaxial Transistor Mini Mold
  • 5页
  • 105K
  • 5
  • 2SC1623L6
  • NEC Corporation
  • NPN Silicon Epitaxial Transistor Mini Mold
  • 5页
  • 105K
  • 6
  • 2SC1623L5
  • NEC Corporation
  • NPN Silicon Epitaxial Transistor Mini Mold
  • 5页
  • 105K
  • 7
  • 2SC1623L4
  • NEC Corporation
  • NPN Silicon Epitaxial Transistor Mini Mold
  • 5页
  • 105K
  • 8
  • 2SC1623
  • NEC Electronics, Inc.
  • SILICON TRANSISTOR
  • 6页
  • 60K
  • 9
  • 2SC1622AD18
  • NEC Corporation
  • Audio Frequency High Gain Amplifier NPN Silicon Epitaxial Transistor Mini Mold
  • 4页
  • 234K
  • 10
  • 2SC1622AD17
  • NEC Corporation
  • Audio Frequency High Gain Amplifier NPN Silicon Epitaxial Transistor Mini Mold
  • 4页
  • 234K
  • 11
  • 2SC1622AD16
  • NEC Corporation
  • Audio Frequency High Gain Amplifier NPN Silicon Epitaxial Transistor Mini Mold
  • 4页
  • 234K
  • 12
  • 2SC1622AD15
  • NEC Corporation
  • Audio Frequency High Gain Amplifier NPN Silicon Epitaxial Transistor Mini Mold
  • 4页
  • 234K
  • 13
  • 2SC1622A
  • NEC Electronics, Inc.
  • SILICON TRANSISTOR
  • 4页
  • 234K
  • 14
  • 2SC1621
  • NEC Electronics, Inc.
  • SILICON TRANSISTOR
  • 4页
  • 229K
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