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- MSP430F5419IPZ - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 100LQFP
- MSP430F5418IPN - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 80LQFP
- CD4527BE - 逻辑芯片 BCD码比率乘法器 16DIP
- CD4089BE - 逻辑芯片 二进制比率乘法器 16DIP
- CD74HC40105M - 逻辑芯片 FIFO寄存器 16SOIC
- SN74LS280N - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- CD74HCT280E - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- SN74AHCT123AD - 逻辑芯片 双路多谐振荡器 16SOIC
- SN74AHC123AD - 逻辑芯片 双路可再触发多谐振荡器 16SSOP
- CD74HCT423E - 逻辑芯片 可再触发单稳态多谐振荡器 16DIP


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分立器件
- MCH6429-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A MCPH6
- STF13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A TO220FP
- STF26NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20A TO220FP
- 2SK4043LS - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 20A TO220F
- MCH6336-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 5A MCPH6
- EC4307KF-TR - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 1.1A ECSP1208
- SCH1302-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 2A SCH6
- 2SK3709 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 37A TO220F
- FW808-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 30V 8A SOT96
- CPH3440-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 7A SOT346
- SCH1301-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 2.4A SCH6
- VND14NV04-E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 12A DPAK
- ECH8654-TL-H - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 5A ECH8
- FW377-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 35V SOT96
- VNP28N04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 42V 28A TO-220
- ECH8618-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 100V 2A ECH8
- VNN7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A SOT-223
- ECH8620-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 100V ECH8
- 2SK3702 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 18A TO220F
- 2SK2632LS - 场效应管 MOSFET N沟道 800V 2.5A TO220F
- 2SK3708 - 场效应管 MOSFET N沟道 10V 30A TO220F
- CPH3340-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 5A SOT346
- VEC2305-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 18V 2.5A VEC8
- VNB28N04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 42V 28A D2PAK
- MCH3374-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 3A MCPH3
- ECH8411-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 9A ECH8