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- MSP430F5419IPZ - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 100LQFP
- MSP430F5418IPN - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 80LQFP
- CD4527BE - 逻辑芯片 BCD码比率乘法器 16DIP
- CD4089BE - 逻辑芯片 二进制比率乘法器 16DIP
- CD74HC40105M - 逻辑芯片 FIFO寄存器 16SOIC
- SN74LS280N - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- CD74HCT280E - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- SN74AHCT123AD - 逻辑芯片 双路多谐振荡器 16SOIC
- SN74AHC123AD - 逻辑芯片 双路可再触发多谐振荡器 16SSOP
- CD74HCT423E - 逻辑芯片 可再触发单稳态多谐振荡器 16DIP
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分立器件
- VNS7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A 8-SOIC
- VNP10N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 10A TO-220
- VNP28N04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 42V 28A TO-220
- FW377-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 35V SOT96
- SCH1301-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 2.4A SCH6
- MCH6336-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 5A MCPH6
- MCH6617-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 1A MCPH6
- STK38N3LLH5 - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 38A POLARPAK
- 2SK4066-DL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 100A SOT404
- VEC2303-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 12V 4A VEC8
- FW705-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 6A SOT96
- ECH8618-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 100V 2A ECH8
- MCH6337-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 4.5A MCPH6
- 1SV298H-TL-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT346
- VNB28N04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 42V 28A D2PAK
- 1SV264-TL-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT323
- MCH3427-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 4A MCPH3
- CPH6411-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A SOT346
- 2SK4062LS - 场效应管 MOSFET N沟道 450V 18A TO220F
- 2SK3703 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 30A TO220F
- VNS14NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 12A SO-8
- VND7NV04-E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 6A DPAK
- EMH2301-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 2A ECH8
- SCH1402-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 3A SCH6
- CPH3430-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 2A SOT346
- 2SK2617ALS - 场效应管 MOSFET N沟道 500V 5A TO220F