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- MSP430F5419IPZ - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 100LQFP
- MSP430F5418IPN - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 80LQFP
- CD4527BE - 逻辑芯片 BCD码比率乘法器 16DIP
- CD4089BE - 逻辑芯片 二进制比率乘法器 16DIP
- CD74HC40105M - 逻辑芯片 FIFO寄存器 16SOIC
- SN74LS280N - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- CD74HCT280E - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- SN74AHCT123AD - 逻辑芯片 双路多谐振荡器 16SOIC
- SN74AHC123AD - 逻辑芯片 双路可再触发多谐振荡器 16SSOP
- CD74HCT423E - 逻辑芯片 可再触发单稳态多谐振荡器 16DIP
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分立器件
- VNP35N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 35A TO-220
- CPH3430-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 2A SOT346
- 2SK3703 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 30A TO220F
- 2SK4062LS - 场效应管 MOSFET N沟道 450V 18A TO220F
- MCH6629-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.4A MCPH6
- VNB35N07TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 35A D2PAK
- 2SK3702 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 18A TO220F
- VNS14NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 12A SO-8
- 1SV316-TB-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT23
- FW248-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 45V 6A SOT96
- ECH8620-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 100V ECH8
- ECH8304-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 9.5A ECH8
- CPH3440-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 7A SOT346
- VNP35NV04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 30A TO-220
- VND1NV04TR-E - 场效应管 功率MOSFET 40V 1.7A DPAK
- MCH6429-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A MCPH6
- FW808-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 30V 8A SOT96
- VEC2305-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 18V 2.5A VEC8
- MCH3374-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 3A MCPH3
- 1SV249-TL-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT323
- 1SV267-TB-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT23
- 2SK3708 - 场效应管 MOSFET N沟道 10V 30A TO220F
- MCH6635-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 0.8A MCPH6
- VEC2301-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 3A VEC8
- 1SV251-TB-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT23
- FW342-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 30V SOT96