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- MSP430F5435IPN - 芯片 微控制器 16位 192K闪存 80LQFP
- MSP430F5419IPZ - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 100LQFP
- MSP430F5418IPN - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 80LQFP
- CD4527BE - 逻辑芯片 BCD码比率乘法器 16DIP
- CD4089BE - 逻辑芯片 二进制比率乘法器 16DIP
- CD74HC40105M - 逻辑芯片 FIFO寄存器 16SOIC
- SN74LS280N - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- CD74HCT280E - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- SN74AHCT123AD - 逻辑芯片 双路多谐振荡器 16SOIC
- SN74AHC123AD - 逻辑芯片 双路可再触发多谐振荡器 16SSOP
- CD74HCT423E - 逻辑芯片 可再触发单稳态多谐振荡器 16DIP
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分立器件
- FW349-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 45V SOT96
- MCH3377-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 3A MCPH3
- MCH6629-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.4A MCPH6
- STF13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A TO220FP
- 2SK3708 - 场效应管 MOSFET N沟道 10V 30A TO220F
- 2SK2617ALS - 场效应管 MOSFET N沟道 500V 5A TO220F
- MCH6412-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 5A MCPH6
- VNP28N04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 42V 28A TO-220
- CPH6429-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 2A SOT346
- VNS7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A 8-SOIC
- STF26NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20A TO220FP
- VNB35N07TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 35A D2PAK
- VNB28N04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 42V 28A D2PAK
- VNS3NV04D-E - 场效应管 功率MOSFET 自动保护 8-SOIC
- ECH8411-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 9A ECH8
- CPH3430-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 2A SOT346
- SCH2315-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 12V 0.9A SCH6
- FW248-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 45V 6A SOT96
- 1SV294-TB-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT23
- CPH3340-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 5A SOT346
- 2SK3707 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 20A TO220F
- MCH6429-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A MCPH6
- STP13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A TO220
- VND14NV04-E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 12A DPAK
- EMH2301-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 2A ECH8
- CPH6311-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 5A SOT346