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- MSP430F5419IPZ - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 100LQFP
- MSP430F5418IPN - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 80LQFP
- CD4527BE - 逻辑芯片 BCD码比率乘法器 16DIP
- CD4089BE - 逻辑芯片 二进制比率乘法器 16DIP
- CD74HC40105M - 逻辑芯片 FIFO寄存器 16SOIC
- SN74LS280N - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- CD74HCT280E - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- SN74AHCT123AD - 逻辑芯片 双路多谐振荡器 16SOIC
- SN74AHC123AD - 逻辑芯片 双路可再触发多谐振荡器 16SSOP
- CD74HCT423E - 逻辑芯片 可再触发单稳态多谐振荡器 16DIP
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分立器件
- VND1NV04TR-E - 场效应管 功率MOSFET 40V 1.7A DPAK
- MCH3374-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 3A MCPH3
- 2SK3702 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 18A TO220F
- STF13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A TO220FP
- MCH6429-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A MCPH6
- STB50N25M5 - 场效应管 MOSFET N沟道 250V 28A D2PAK
- VND14NV04-E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 12A DPAK
- MCH6617-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 1A MCPH6
- CPH6429-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 2A SOT346
- ECH8620-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 100V ECH8
- EC4307KF-TR - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 1.1A ECSP1208
- VNS7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A 8-SOIC
- CPH3442-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 6.5A SOT346
- 1SV294-TB-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT23
- VNB35N07TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 35A D2PAK
- CPH6411-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A SOT346
- VEC2303-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 12V 4A VEC8
- MCH6337-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 4.5A MCPH6
- STD13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A DPAK
- 2SK2624ALS - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 3.5A TO220F
- VNB28N04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 42V 28A D2PAK
- 1SV251-TB-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT23
- VNP14NV04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 12A TO-2203
- 2SK3709 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 37A TO220F
- EMH2301-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 2A ECH8
- CPH3340-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 5A SOT346