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- MSP430F5435IPN - 芯片 微控制器 16位 192K闪存 80LQFP
- MSP430F5419IPZ - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 100LQFP
- MSP430F5418IPN - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 80LQFP
- CD4527BE - 逻辑芯片 BCD码比率乘法器 16DIP
- CD4089BE - 逻辑芯片 二进制比率乘法器 16DIP
- CD74HC40105M - 逻辑芯片 FIFO寄存器 16SOIC
- SN74LS280N - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- CD74HCT280E - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- SN74AHCT123AD - 逻辑芯片 双路多谐振荡器 16SOIC
- SN74AHC123AD - 逻辑芯片 双路可再触发多谐振荡器 16SSOP
- CD74HCT423E - 逻辑芯片 可再触发单稳态多谐振荡器 16DIP
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分立器件
- FW377-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 35V SOT96
- 2SK2632LS - 场效应管 MOSFET N沟道 800V 2.5A TO220F
- CPH6411-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A SOT346
- STK38N3LLH5 - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 38A POLARPAK
- EMH2301-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 2A ECH8
- ECH8618-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 100V 2A ECH8
- VNS7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A 8-SOIC
- VEC2301-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 3A VEC8
- V10P10-M3/86A - 肖特基整流二极管
- 2SK4065-DL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 75V 100A SOT404
- VND7NV04-E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 6A DPAK
- VNB35N07TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 35A D2PAK
- MCH3427-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 4A MCPH3
- 2SK2625ALS - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 5A TO220F
- MCH3374-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 3A MCPH3
- VNS3NV04D-E - 场效应管 功率MOSFET 自动保护 8-SOIC
- CPH6429-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 2A SOT346
- 1SV267-TB-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT23
- 1SV315-TL-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT323
- 2SK2624ALS - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 3.5A TO220F
- ECH8620-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 100V ECH8
- VNN1NV04TR-E - 功率场效应管 MOSFET M0-3 40V 1.7A SOT223
- FW349-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 45V SOT96
- VNS14NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 12A SO-8
- SMCJ30A-E3/57T - 二极管 TVS 1.5KW 30V 单向 SMC
- 2SK4073LS - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 90A TO220F