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- MSP430F5419IPZ - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 100LQFP
- MSP430F5418IPN - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 80LQFP
- CD4527BE - 逻辑芯片 BCD码比率乘法器 16DIP
- CD4089BE - 逻辑芯片 二进制比率乘法器 16DIP
- CD74HC40105M - 逻辑芯片 FIFO寄存器 16SOIC
- SN74LS280N - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- CD74HCT280E - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- SN74AHCT123AD - 逻辑芯片 双路多谐振荡器 16SOIC
- SN74AHC123AD - 逻辑芯片 双路可再触发多谐振荡器 16SSOP
- CD74HCT423E - 逻辑芯片 可再触发单稳态多谐振荡器 16DIP


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分立器件
- 2SK3708 - 场效应管 MOSFET N沟道 10V 30A TO220F
- CPH6311-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 5A SOT346
- FW349-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 45V SOT96
- MCH3427-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 4A MCPH3
- FW248-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 45V 6A SOT96
- FW377-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 35V SOT96
- SCH2315-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 12V 0.9A SCH6
- MCH6412-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 5A MCPH6
- 2SK2618ALS - 场效应管 MOSFET N沟道 500V 6.5A TO220F
- VND14NV04-E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 12A DPAK
- VNN1NV04TR-E - 功率场效应管 MOSFET M0-3 40V 1.7A SOT223
- ECH8619-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 60V ECH8
- VNP14NV04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 12A TO-2203
- MCH6429-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A MCPH6
- MCH6635-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 0.8A MCPH6
- 1SV250-TB-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT23
- VNS3NV04D-E - 场效应管 功率MOSFET 自动保护 8-SOIC
- ECH8411-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 9A ECH8
- 1SV316-TB-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT23
- EMH2301-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 2A ECH8
- STF26NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20A TO220FP
- VNP35NV04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 30A TO-220
- VNB28N04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 42V 28A D2PAK
- MCH6337-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 4.5A MCPH6
- STB50N25M5 - 场效应管 MOSFET N沟道 250V 28A D2PAK
- 1SV267-TB-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT23